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太陽能光伏質量檢測儀器 >> 切片質量檢測儀器 >> 半自動無接觸硅片測試儀:HS-NCS-200SA
                

 

    半自動無接觸硅片測試儀(HS-NCS-200SA型)可以測量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度,該儀器適用于Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有的材料,強大的軟件功能能夠在幾秒內測試硅片的厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度,所有的設計都符合ASTM(美國材料實驗協會)和Semi標準,確保與其他工藝儀器的兼容與統一。可用于75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm多種尺寸。

產品特點:
高性價比可替代全自動
厚度測試無需重新校準
標準Windows系統和友好界面
無與倫比的精確度和測量重復性
符合ASTM(美國材料實驗協會)和Semi標準
采用一鍵式硅片檢測,并生成三維硅片圖像
友好易用
標準的Windows系統,易于安裝和使用
每個測量和機械參數都可從選項表中進行選擇,該控制軟件具有三個安全級別
從硅片生產環境到硅片幾何工程分析,同時系統對輸出數據進行報表表格定制

技術指標:
晶圓硅片測試尺寸: 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm .
厚度測試范圍: 1000 u m , 可擴展到 1700 um.
厚度測試精度: +/-0.25um
厚度重復性精度: 0.050um

TTV 測試精度 : +/-0.05um
TTV 重復性精度 : 0.050um

彎曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]
彎曲度測試精度: +/-2.0um
彎曲度重復性精度: 0.750um

翹曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]
翹曲度測試精度: +/-2.0um
翹曲度重復性精度: 0.750um

平整度(總體)測試精度 : +/-0.05um
平整度(總體)重復性精度 : 0.030um

平整度(點)測試精度 : +/-0.05um
平整度(點)重復性精度 : 0.030um

晶圓硅片導電型號: P 或 N 型
材料: Si , GaAs , InP , Ge 等幾乎 所有半導體材料
可用在: 切片后、磨片前、后, 蝕刻,拋光 以及出廠、入廠質量檢測等
平面 / 缺口:所有的半導體標準平面或缺口
硅片安裝:裸片,藍寶石 / 石英基底, 黏膠帶

應用范圍:
> 切片
  >>線鋸設置
    >>>厚度
    >>>總厚度變化TTV
  >>監測
    >>>導線槽
    >>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
  >> 過程監控
  >> 厚度
  >> 總厚度變化TTV
  >> 材料去除率
  >> 彎曲度
  >> 翹曲度
  >> 平整度
> 研磨
  >> 材料去除率
> 最終檢測
  >> 抽檢或全檢
  >> 終檢厚度

典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內太陽能及半導體客戶。

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