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    紅外探傷測試儀是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
 
主要原理：
    在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下，HS-NIR-01型紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。
    多晶硅紅外探傷測試儀主要由紅外光源，旋轉(zhuǎn)臺，成像系統(tǒng)構(gòu)成。成像系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉(zhuǎn)臺由單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機(jī)。
    通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。斷線的修復(fù)是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作，同時(shí)不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中不可或缺的工具。
 





產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 為太陽能多晶硅片過程中的質(zhì)量控制提供了強(qiáng)大的監(jiān)測工具

■ 檢測速度快，平均每個(gè)硅塊檢測時(shí)間為不超過1分鐘

■ NIRVision軟件能夠分析4面探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像

■ 成像過程將自動(dòng)標(biāo)出夾雜的位置所在

■ 獨(dú)特的加強(qiáng)型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強(qiáng)大的技術(shù)保障

■ 采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料

■ 表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)

■ 系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)

■ 所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長期高強(qiáng)度使用及最小維護(hù)量的要求

■ 能夠通過自動(dòng)或手動(dòng)旋轉(zhuǎn)對硅塊的前后左右四面和上下兩面進(jìn)行全面探傷。

■ 紅外光源通過交直流光源進(jìn)行控制，光強(qiáng)可以通過軟件直接控制，同時(shí)它具有過熱保護(hù)功能

■ 同時(shí)軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能

■ 穩(wěn)定性和耐用性俱佳。

■ 探傷測試面最好進(jìn)行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進(jìn)行紅外探傷

■ 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多

■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上









技術(shù)指標(biāo)：

■ 主要探測指標(biāo)：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等

■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）

■ 檢測時(shí)間：平均每個(gè)硅塊1分鐘

■ 最大探測深度：200mm

■ 外框和箱體

> 尺寸：143x53x55

> 外框采用數(shù)控工程鋁合金

> 外框是覆蓋靜電強(qiáng)力漆鋁面板

> 主機(jī)重量：98 kg

> 附件重量：25 kg

■ 旋轉(zhuǎn)臺

> 采用單軸伺服電機(jī)

> 最大承載量:40kg

> 具有過流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀

> 無步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器

■ 紅外光源

> 高強(qiáng)度NIR鹵燈，273mm加熱波長

> 功率：230V, 1000W 

> 溫度：25-60攝氏度

> 光強(qiáng)可通過軟件控制

> 軟件具有過熱保護(hù)

■ 觀測儀

> 采用紅外CCD控溫

> 12位ADC 

> 頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇

> 像素間距: 30μm

> 分辨率：: 320x256 像素

> 可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭



 鑄錠常見異常：















典型用戶：

江西塞維LDK、中美晶、旭晶能源科技、達(dá)能科技、申和熱磁、華航新能源、英利能源、海潤光伏、晶晶光電、兆晶光電、集美光電、安徽天翊、金輝光電、華航新能源、銀和新能源等